11月21日消息，全球今天SK海力士官方宣布，首款D闪始量已开始量产全球首款321层1TB TLC 4D NAND闪存。突破

SK海力士表示，层S层N存开产公司从2023年6月量产上一代238层NAND闪存产品，力士并供应市场，官宣此次推出的全球321层NAND闪存，不仅突破了技术界限，首款D闪始量也率先实现了超过300层的突破NAND闪存量产。

公司计划从明年上半年起向客户提供321层产品，层S层N存开产以满足市场需求。力士

在产品开发过程中，官宣SK海力士采用了与238层产品相同的全球开发平台，从而最大限度地减少工艺切换的首款D闪始量任何影响，将生产效率提高59%。突破

与上一代相比，321层NAND闪存的数据传输速度和读取性能分别提高了12%和13%，数据读取能效也提高了10%以上。

SK海力士NAND开发负责人Jungdal Choi表示：“最新的发展，使公司离以AI数据中心和设备端AI的SSD为代表的AI存储市场的领导地位又近了一步。”